国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“用于功率器件的钝化方法”的专利，公开号CN121793814A，申请日期为2026年1月。

　　专利摘要显示，一种用于功率器件的钝化方法，包括：形成衬底和位于所述衬底上的半导体器件；在所述衬底和所述半导体器件上形成介质层；在所述介质层上形成互连层，所述互连层具有缝隙；在形成所述互连层之后，进行氢钝化处理，所述氢钝化处理中，氢经所述缝隙扩散至所述衬底和所述介质层之间的界面。氢经所述缝隙扩散至衬底与介质层界面实施钝化，大幅缩短氢扩散路径，避免互连层全覆盖所述半导体器件导致氢扩散距离过长的情况，强化界面悬挂键的饱和钝化效果，有效降低界面态密度，优化功率器件工艺流程及膜质组成。

　　天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目920次，财产线条，此外企业还拥有行政许可429个。

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