国家知识产权局信息显示，GENESIC半导体公司申请一项名为“改进的功率器件的设计和制造”的专利，公开号CN121793407A，申请日期为2021年8月。

　　专利摘要显示，本公开涉及改进的功率器件的设计和制造。本公开描述了一种器件及其形成方法。一种器件，包括至少部分形成于碳化硅（SiC）基板内的单位单元，所述单位单元包括：垂直轴，其限定于所述单位单元的区域处；第一下沉区，其形成于所述SiC基板中且具有第二导电类型，所述第一下沉区与所述垂直轴水平对准；第二下沉区，其形成于所述SiC基板中且具有所述第二导电类型，所述第二下沉区从所述第一下沉区横向延伸至第一远端边界；源极区，其形成于所述SiC基板中且具有第一导电类型；阱区，其形成于所述SiC基板中且具有所述第二导电类型，所述阱区从所述第一下沉区横向延伸至第二远端边界；并且其中，所述第一下沉区的深度大于所述第二下沉区的深度。

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