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　　【半导体功率器件及其制造方法】相关申请的交叉引用本申请要求于2013年6月

　　及其制造方法，例如，涉及具有至少一个埋层的半导体功率器件及其未利用高能离

　　子注入工艺的制造方法，该埋层是通过在高压横向DMOS(LDMOS)中添加一个或

　　更多个外延层而形成的。背景技术具有高开关频率和低功耗的MOSFET器件已被

　　广泛用于功率转换和调节电路。存在被称为双扩散DMOS晶体管的多种类型功率

　　MOSFET器件。例如，存在被称为垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)的垂直

　　型DMOS晶体管。此外，存在被称为横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的横

　　向型DMOS晶体管。与利用体硅衬底的制造工艺相比，当绝缘体上硅(SOI)衬底用

　　于制造功率集成电路(功率IC)时，可以简化制造工艺。然而，对于大多数目的，这

　　种制造工艺的实际应用中SOI衬底的成本过高。VDMOS晶体管具有大功率处理

　　能力。然而，与LDMOS晶体管相比，VDMOS晶体管较难以以IC技术来实现。

　　因而，LDMOS器件被广泛地用作用于控制、逻辑和功率的开关。LDMOS器件需

　　要高击穿电压以承受高施加电压。同时，这些器件需要低导通电阻以使传导损耗最

　　小化。在1980年代初已开发出降低表面电场(RESURF)结构，所述降低表面电场

　　(RESURF)结构降低了在MOSFET的漏极区中的峰值电场以同时获得高击穿电压和

　　低导通电阻。然而，在传统技术的RESURF处理中，需要通常大于1MeV的高能

　　能量来形成另外的P型埋层。例如，可能必需涉及到大于2MeV的注入工艺，而

　　了一种半导体功率器件，包括：第一导电型半导体衬底；形成在半导体衬底上的外

　　延层；形成在半导体衬底和外延层中的第二导电型阱；形成在阱中的漏极区；将栅

　　极区与漏极区绝缘的氧化物层；形成在阱中的第一导电型埋层；围绕埋层的第二导

　　电型漂移区；以及形成在埋层与氧化物层之间的第二导电型TOP区。半导体功率

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　　器件的一般性的方面可以包括多个埋层和多个漂移区，多个漂移区各自围绕所......