国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“功率半导体器件、制造功率半导体器件的方法、单芯片半桥转换器、操作功率半导体器件的方法”的专利，公开号CN121665594A，申请日期为2025年9月。

　　专利摘要显示，本发明涉及功率半导体器件、制造功率半导体器件的方法、单芯片半桥转换器、操作功率半导体器件的方法。该功率半导体器件包括：半导体本体，其包括具有第一导电类型或第二导电类型的衬底区域，其中，半导体本体具有前侧；在前侧处的第一负载端子和第二负载端子，其中，半导体本体被配置成传导在第一负载端子与第二负载端子之间沿正向方向的正向负载电流以及在第一负载端子与第二负载端子之间沿反向方向的反向负载电流两者。正向方向和反向方向彼此相反。功率半导体器件还包括：在前侧处并且与第一负载端子相邻的第一控制端子；以及在前侧处并且与第二负载端子相邻的第二控制端子。

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