本书较全面地讲述了现有各类重要功率半导体器件的结构、基本原理、设计原则和应用特性，有机地将

　　功率半导体器件是电力电子技术及其应用装置的基础，是推动电力电子变换器发展的主要源泉。功

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　　IGBT在MOSFET基础上升级，市场空间增速快。IGBT作为半导体功率器件中的全控器

　　元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。基于 SiC 和 GaN 的功率

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　　近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的

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