国家知识产权局信息显示，上海鼎阳通半导体科技有限公司申请一项名为“功率器件及其制造方法”的专利，公开号CN121645923A，申请日期为2025年12月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种功率器件，包括：层间膜。半导体衬底分成有源区和终端区。在有源区中形成形成有器件单元结构；在终端区形成有环绕在有源区周侧的场氧化层。在有源区中，层间膜覆盖在形成有器件单元结构的半导体衬底的顶部表面之上并形成有穿过层间膜的第一接触孔。在终端区中，层间膜覆盖在场氧化层的顶部表面之上。层间膜被图形化刻蚀使终端区中的层间膜的第一厚度和有源区中的层间膜的第二厚度独立设置，第二厚度小于等于第一接触孔的深宽比所要求的厚度，第一厚度大于第二厚度且通过加厚第一厚度来保证功率器件的可靠性。本发明还公开了一种功率器件的制造方法。本发明能提高器件的长期可靠性，有利于拓展器件在车规领域的应用。

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　　天眼查资料显示，上海鼎阳通半导体科技有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，上海鼎阳通半导体科技有限公司专利信息39条，此外企业还拥有行政许可2个。

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　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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