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新洁能取得横向功率MOSFET器件及其制造方法专利_CQ9电子中国官方网站
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新洁能取得横向功率MOSFET器件及其制造方法专利

作者:小编    发布时间:2026-03-02 02:37:04    浏览量:

  国家知识产权局信息显示,无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“一种横向功率MOSFET器件及其制造方法”的专利,授权公告号CN115188806B,申请日期为2022年7月。

  天眼查资料显示,无锡新洁能股份有限公司,成立于2013年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41533.2567万人民币。通过天眼查大数据分析,无锡新洁能股份有限公司共对外投资了17家企业,参与招投标项目20次,财产线条,此外企业还拥有行政许可49个。

  国硅集成电路技术(无锡)有限公司,成立于2020年,位于无锡市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本743.0341万人民币。通过天眼查大数据分析,国硅集成电路技术(无锡)有限公司参与招投标项目2次,财产线条,此外企业还拥有行政许可7个。

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