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　　提供了一种半导体功率器件及其制造方法。所述半导体功率器件包括：第一导电型半导体衬底；形成在半导体衬底上的外延层；形成在半导体衬底和外延层中的第二导电型阱；形成在阱中的漏极区；将栅极区与漏极区绝缘的氧化物层；形成在阱中的第一导电型埋层；围绕埋层的第二导电型漂移区；以及形成在埋层与氧化物层之间的第二导电型TOP区。

　　【专利摘要】提供了一种。所述半导体功率器件包括：第一导电型半导体衬底；形成在半导体衬底上的外延层；形成在半导体衬底和外延层中的第二导电型阱；形成在阱中的漏极区；将栅极区与漏极区绝缘的氧化物层；形成在阱中的第一导电型埋层；围绕埋层的第二导电型漂移区；以及形成在埋层与氧化物层之间的第二导电型TOP区。【专利说明】 相关申请的交叉引用 本申请要求于2013年6月4日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请第 10-号的权益，出于全部目的将其全部内容通过引用并入本文。

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　　以下描述涉及，例如，涉及具有至少一个埋层的 半导体功率器件及其未利用高能离子注入工艺的制造方法，该埋层是通过在高压横向 DMOS(LDMOS)中添加一个或更多个外延层而形成的。

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　　具有高开关频率和低功耗的M0SFET器件已被广泛用于功率转换和调节电路。存 在被称为双扩散DM0S晶体管的多种类型功率M0SFET器件。例如，存在被称为垂直双扩散 金属氧化物半导体（VDM0S)的垂直型DM0S晶体管。此外，存在被称为横向双扩散金属氧化 物半导体（LDM0S)的横向型DM0S晶体管

　　一种半导体功率器件，包括：第一导电型半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的外延层；形成在所述半导体中的第二导电型阱；形成在所述阱中的漏极区；将栅极区绝缘于所述漏极区的氧化物层；形成在所述阱中的第一导电型埋层；围绕所述埋层的第二导电型漂移区；以及形成在所述埋层与所述氧化物层之间的第二导电型TOP区。