国家知识产权局信息显示，江苏索力德普半导体科技有限公司申请一项名为“一种具有L型沟道的功率器件及制备方法”的专利，公开号CN121218654A，申请日期为2025年9月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种具有L型沟道的功率器件及制备方法，涉及半导体器件领域，所述具有L型沟道的功率器件包括半导体基板及制备于所述半导体基板中心区的有源区，有源区内包括若干并列分布的元胞；对于任一元胞，包括沟槽栅单元、第二导电类型阱区、第一导电类型源区以及第二导电类型第一源区；沟槽栅单元包括元胞沟槽，第一导电类型源区以及第二导电类型第一源区与第二电极金属欧姆接触；第二导电类型阱区包覆元胞沟槽的第一槽角并由第一槽角向元胞沟槽的第一外侧壁及槽底延伸，第二导电类型阱区与第一导电类型源区及第二导电类型第一源区接触，基于第二导电类型阱区形成L型导电沟道。该结构能够有效缩小器件单元节距，提升功率密度。

　　天眼查资料显示，江苏索力德普半导体科技有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4722.329万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏索力德普半导体科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目4次，财产线条，此外企业还拥有行政许可12个。

　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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