金融界 2025 年 5 月 9 日消息，国家知识产权局信息显示，中电晶华（天津）半导体材料有限公司取得一项名为“一种功率器件用超重掺磷衬底多层硅外延片及其制备方法”的专利，授权公告号 CN119194606B，申请日期为 2024 年 11 月。

　　天眼查资料显示，中电晶华（天津）半导体材料有限公司，成立于2018年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1382.43万人民币。通过天眼查大数据分析，中电晶华（天津）半导体材料有限公司参与招投标项目14次，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可103个。

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