金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，浙江摩珂达半导体有限公司取得一项名为“一种碳化硅功率器件的封装结构”的专利，授权公告号CN223181136U，申请日期为2024年09月。

　　专利摘要显示，本实用新型公开了一种碳化硅功率器件的封装结构，属于器件封装技术领域，该碳化硅功率器件的封装结构以及封装方法包括PCB板主体以及固定在PCB板主体顶端的外壳，所述PCB板主体的底端设置有DBC基板，且PCB板主体的中心位置处内嵌固定有PCB板底层第一焊盘，所述PCB板底层第一焊盘的一端对称开设有PCB板过孔，且PCB板底层第一焊盘的另一端分别开设有PCB板第一窗口和PCB板第二窗口，其中PCB板底层第一焊盘上方设置有PCB板顶层铜箔。该碳化硅功率器件的封装结构以及封装方法的封装结构和方法通过优化布局和材料选择，显著提升了碳化硅功率器件的性能和可靠性，同时简化了制造过程。

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　　天眼查资料显示，浙江摩珂达半导体有限公司，成立于2024年，位于嘉兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江摩珂达半导体有限公司财产线条。

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