金融界2025年7月17日消息，国家知识产权局信息显示，广东佛智芯微电子技术研究有限公司取得一项名为“一种功率器件封装结构”的专利，授权公告号CN223108890U，申请日期为2024年08月。

　　专利摘要显示，本实用新型公开了一种功率器件封装结构，通过在第三重布线层和第一重布线层之间生长连通结构，以将从HEMT芯片和/或MOSFET芯片引出到第三重布线层的电信号连接到第一重布线层，改变了现有封装方法中采用的引线连接方式，对封装结构的内部空间占用大幅度减少，有利于多对功率器件在尺寸有限的同个封装结构内的高度集成；芯片各个极通过铜柱和铜重布线层互联，减小寄生感抗，器件性能得到提升。通过对两个芯片对构建独立的散热通道，并控制两个芯片对交替工作，总的热功率平均分配到两颗GaN芯片上，两颗GaN芯片产生的热量顺着自身传递到背面焊盘实现同时散热，大大降低了器件封装热阻。

　　天眼查资料显示，广东佛智芯微电子技术研究有限公司，成立于2018年，位于佛山市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本4531.5789万人民币。通过天眼查大数据分析，广东佛智芯微电子技术研究有限公司参与招投标项目44次，财产线条，此外企业还拥有行政许可23个。