证券之星消息,根据企查查数据显示新洁能(605111)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种功率半导体器件及其制作方法”,专利申请号为CN6.9,授权日为2024年8月2日。
专利摘要:本发明涉及半导体技术领域,具体公开了一种功率半导体器件,包括半导体基板,半导体基板被划分为元胞区和终端保护区,元胞区位于半导体基板的中心区,其中,半导体基板包括第一导电类型衬底和第一导电类型外延层;位于元胞区的第二导电类型体区内设置有第一类沟槽;位于终端保护区的第二导电类型体区内设置有至少一根第二类沟槽;第二类沟槽的上方设置有金属场板,金属场板位于终端保护区内,且从靠近元胞区的第二类沟槽开始并沿着远离元胞区的方向延伸,金属场板至少覆盖一根第二类沟槽。本发明还公开了一种功率半导体器件的制作方法。本发明提供的功率半导体器件能够提高功率半导体器件的耐压,提高功率半导体器件的可靠性。
今年以来新洁能新获得专利授权18个,较去年同期增加了100%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了8731.42万元,同比减13.3%。
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