今天分享的是：2025年第三代半导体SiC GaN产业链研究报告-深企投

　　本报告聚焦2025年第三代半导体碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）产业链，揭示全球半导体竞争新态势及国产生态成型路径。

　　半导体材料历经三代迭代：第一代以硅（Si）、锗（Ge）为主，主导低压低频场景；第二代以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表，聚焦高频光电子领域；第三代以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为核心，凭借宽禁带、高击穿电场等特性，成为高温、高频、大功率器件的优选，如新能源汽车电驱、5G基站等场景。三代材料并非替代关系，而是长期共存，第三代正逐步替代部分硅基市场。

　　- 应用与优势：SiC器件耐高压、低损耗，在新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器、充电桩等领域渗透率加速。2023年全球SiC功率器件市场规模27.46亿美元，新能源汽车占比超70%，预计2029年达98.73亿美元。

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　　- 产业链结构：上游衬底、外延成本占比70%，衬底以6英寸为主，8英寸量产加速，天岳先进、天科合达为国内龙头；中游器件制造多采用IDM模式，比亚迪半导体、斯达半导体等国产厂商在车规级市场份额提升；下游应用聚焦汽车、能源等领域。

　　- 市场格局：全球前五大厂商占92%份额，国内企业通过技术降本与产能扩张，2024年上半年国产碳化硅模块装机量占比近半，但低端市场产能过剩，高端8英寸及车规级产品供不应求。

　　- 应用与趋势：GaN器件高频低损耗，在消费电子快充（渗透率预计2025年达52%）、电动汽车OBC、数据中心电源等场景快速渗透。2023年全球GaN功率器件市场规模2.6亿美元，预计2029年达20.1亿美元，汽车与出行领域年复合增速79%。

　　- 技术路线：硅基氮化镓（GaN-on-Si）因成本优势成主流，8英寸晶圆过渡提升产能，英诺赛科、纳微半导体等主导市场，国内企业在射频和功率领域加速布局。

　　- 碳化硅设备：单晶炉、外延炉基本国产化，北方华创、晶盛机电等占据国内市场；刻蚀、离子注入设备国产化率低，依赖进口，但激光切割、研磨抛光设备国产替代加速。

　　- 氮化镓设备：MOCVD、离子注入机等核心设备主要来自欧美日，中微半导体、北方华创等在刻蚀和外延设备领域取得突破，国产化仍需突破技术壁垒。

　　报告指出，第三代半导体在新能源、通信等领域需求驱动下，市场规模持续扩张，国内企业在材料、器件及设备端全面推进国产化，虽面临技术和成本挑战，但生态体系逐步完善，有望在全球竞争中占据更重要地位。