虽是昔日全球碳化硅行业的头部企业，但这些年Wolfspeed公司已逐渐掉队，跟不上英飞凌、安森美以及国内诸多友商的脚步。其在本月

　　Wolfspeed公司走向破产边缘的原因有很多，包括高额的债务和财务成本不断消耗其现金流，导致研发与市场开拓举步维艰；也有碳化硅行业整体面临技术瓶颈难以进步，较低的良率导致生产成本过高，下游客户不买单；还有中国碳化硅选手看到细分赛道的发展前景，前赴后继进入这个行业，不断堆产能，通过各种方式抢占市场份额；以及公司管理层在资本配置、执行和战略方面存在各种失误，没能较好地应对市场变化和挑战。

　　值得一提的是，近半年内，碳化硅行业内不仅有Wolfspeed公司这样的昔日巨头陷入破产危机，我国曾经的碳化硅明星企业——世纪金光也在去年末因为资不抵债，进入破产清算程序。世纪金光的没落也有着诸多内在原因，盲目扩张、技术实力不足、资金链断裂、市场需求疲软等不一而足。

　　两家昔日明星企业不复昔日光景背后有个共性原因，那便是经过数年的发展，碳化硅行业从一个充满想象空间的新兴赛道，逐渐转变成一个有着光明前景但已出现产能过剩的行业。数据显示，2024年，国内碳化硅企业注销超过5千家。

　　此前，有碳化硅行业资深人士向芯师爷称，根据其近两年的观察，国内的碳化硅行业早已进入淘汰赛，前两年在竞标项目中比较常见的许多同行，已经逐渐不见身影。另有多位碳化硅产业链从业者向芯师爷透露，现在碳化硅行业太卷了，价格方面没有最低只有更低，很多项目其实根本不赚钱，但是为了保证出货没有办法，只能硬着头皮去做。

　　根据报道，由于前期过度投资，近期国内碳化硅材料供过于求，且下游电动汽车率先进入竞争性降价，引起2023年末开始大幅降价，6英寸碳化硅以6000元/片降至去年底1500元/片左右，单卖碳化硅的企业，已处于亏损状态。

　　从当下看，目前碳化硅行业似乎还处于赔本赚吆喝的阶段，真正赚钱的企业并不多。着眼于未来，碳化硅的前景十分光明，其作为新一代半导体材料的杰出代表，碳化硅以其卓越的物理和化学属性，正在引领半导体器件性能的革命，相比传统的硅基IGBT，碳化硅更加耐高温、耐高压，还拥有更高的热导率。

　　目前我国大热的新能源汽车、风电、光伏、5G通信、军工等场景都有碳化硅的用武之地，碳化硅行业必然有着非常不错的未来。以SiC、GaN为代表的第三代半导体器件，因其优秀的耐高温、耐高压、抗辐射等特性，正在逐步替代硅基半导体功率器件的市场空间，越来越多的企业加入了第三代半导体器件的开发行列。

　　数据显示，2021-2027年，全球碳化硅功率器件市场规模将由10.9亿美元增长到62.97亿美元，年复合增长率达34%。国家对产业发展方面也有一定力度的支持。《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。

　　不过，随着时间的推移，国内碳化硅产业格局将会发生变化，在当下的行情之下，不具备规模优势和产业优势的中小型碳化硅企业的生存难度将越来越大，市场的投资与行业资源将会向头部企业集中，一方面头部企业的抗风险能力更强，在供货稳定性方面更有保障，往往技术方面也相对更先进，另一方面在规模效应之下，头部企业可以提供相对低产品价格时保障质量。

　　CIC灼识咨询执行董事余怡然此前接受21世纪财经报道采访时曾表示，“随着碳化硅降价趋势，预计2025年行业兼并整合可能会加剧。原因包括成本压力的增加、市场竞争力的提升需求以及技术发展的需求。价格下降导致利润空间压缩，企业可能通过兼并整合降低成本、提高效率。同时，为了保持市场竞争力和适应技术发展，企业可能会寻求通过收购获取关键技术和客户资源，以保持在市场中的竞争力。”

　　2021年，察觉到市场的变化，在功率半导体和晶圆代工方面有着深厚技术积累的芯联集成切入碳化硅市场。

　　经过三年多的发展，其碳化硅业务已经有了不小的规模。根据公司2024年年报数据，芯联集成实现碳化硅业务收入10.16亿元，同比增长超100%。

　　目前，芯联集成已在多家国内外OEM和Tier1客户进行量产，更多客户处于定点+产品导入阶段。在车规级产品工艺方面，SiC工艺平台实现了650V到2000V系列的全面布局，部分工艺平台已完成了全系列产品参数及可靠性验证，进入规模量产阶段。在技术迭代方面，公司已实现了平面型SiCMOSFET产品两年迭3代，产品已顺利投入量产。在产线英寸SiCMOSFET已实现工程批下线年下半年量产。

　　月份，芯联集成发布公告称，将收购芯联越州72.33%股权，实现完全控股。收购完成后，芯联集成计划加快8英寸布局，将芯联越州现有1万片/月8英寸硅基产线千片/月6英寸碳化硅产线英寸碳化硅产线。

　　士兰微成立于1997年，至今接近30年时间，是国内收入及产能规模最大的纯半导体 IDM 公司。根据英飞凌发布的2025财年第二季度财报，2024年全球功率半导体市场总规模

　　为323亿美元。士兰微电子以3.3%的市场占有率跃升至全球第六。在碳化硅领域，士兰微也早有布局。根据士兰微4

　　月初，“公司已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标接近沟槽栅SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量。”目前，士兰明镓（士兰微子公司）已形成月产9,000

　　英寸SiC MOS芯片的生产能 力。基于自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模 块在4家国内汽车厂家累计出货量5万只，客户端反映良好。截至2024年底，士兰集宏（士兰微子公司）8英寸SiC mini line已实现通线，公司Ⅱ代SiC芯片已在8英寸mini line上试流片成功，其参数与公司6英寸产品匹配，良品率明显高于6英寸。士兰集宏主厂房及其他建筑物已全面封顶，正在进行净化装修，预计将在2025年4季度实现全面通线并试生产，以赶上2026年车用SiC市场的快速成长。

　　月，比亚迪半导体产品总监杨钦耀表示，“车规级的IGBT已经走到5代，碳化硅MOSFET已经走到3代，第4代正在开发当中。正在规划自建产线。”比亚迪是全球最早布局碳化硅的汽车企业之一。在

　　值得一提的是，比亚迪半导体是全球首家实现SiC三相全桥模块在电机驱动控制器中大批量装车的功率半导体供应商。今年三月份，比亚迪首次展示了其自主研发的

　　车规级碳化硅功率模块，命名为SiC 3.0。该芯片采用了8英寸晶圆工艺，导通电阻降至1.2mΩ·cm²，开关频率高达100kHz，能够在极端条件下保持高效稳定的运行。

　　芯片龙头，有着相当大的市场份额。不过，三安光电的业绩也随着LED市场而波动。2018-2019年，LED行业经历着去产能、去库存，而彼时的碳化硅市场相对火热。2020

　　月，三安光电决定斥资160亿元，建设碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目。同年七月，湖南三安半导体在长沙成立，主要提供SiC MOSFET/SBD、SiC衬底/外延、车规级SiC功率模块代工等。根据三安光电2024年年报信息，湖南三安半导体拥有碳化硅配套产能超16,000片/月和硅基氮化镓2,000片/月，产能正逐步释放。报告期内，湖南三安实现销售收入13.54亿元，净利润-0.95亿元。2023年6月，三安光电与意法半导体拟出资32亿美元合资建造一座8英寸碳化硅外延、芯片代工厂。同时，三安光电将在当地独资建立一个8英寸碳化硅衬底工厂作为配套，预计投资总额70亿元，这便是重庆三安半导体。三安光电年报数据显示，重庆三安

　　70亿元（含土地使用权和流动资金），项目达产后8英寸碳化硅衬底产能约48万片/年，其衬底项目于2024年8月实现产线点亮通线。

　　服务器电源、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。计划于2025年Q4开展全国产主驱碳化硅模块的工艺、可靠性验证。在碳化硅的研发方面，扬杰科技主要针对1200V 80mΩ平面栅碳化硅MOSFET开发，该项目产品的研究目的是设计开发1200V 80mΩ系列碳化硅MOSFET，实现产品规模产业化，并应用于 新能源汽车和充电桩领域。5

　　日，扬杰科技方面官宣，其SiC车规级功率半导体模块封装项目正式破土动工。据悉，该项目总投资规模达10亿元，项目将聚焦车规级框架式、塑封式IGBT模块及SiC MOSFET模块等第三代半导体产品的研发与生产，旨在实现高端功率半导体模块的国产化替代。项目全面达产后，预计可实现年开票销售额10亿元。

　　年，是中国碳化硅功率器件产业化领军企业，专业从事碳化硅器件研发与制造，并提供应用解决方案。公司有

　　CQ9电子 CQ9电子游戏官网

　　年碳化硅器件量产经验，涵盖研发、制造、工艺、品控、应用方案和销售六个方向。总部坐落于北京，是一家IDM企业，拥有两条碳化硅芯片晶圆生产线。其中泰科天润湖南6寸晶圆线万片流片和销售，此外北京8寸晶圆线已开工建设，2025年可实现通线投产。同时，公司建有可靠性实验室、器件评估实验室、失效分析实验室、系统应用实验室，为向客户提供优质产品提供有力保障。泰科天润的碳化硅产品范围覆盖650V-3300V

　　）等多种规格，已经批量应用于PC电源、光伏逆变器、充电模块、OBC、DC-DC等多个领域，并屡次获得行业优秀产品奖。

　　在碳化硅领域，真茂佳也有所积累，其拥有10+年SiC产品开发经验的研发团队，掌握先进的碳化硅（SiC）MOSFET设计和生产工艺，并拥有独立知识产权。在此前的慕尼黑上海电子展上，线V全系列的SiC产品，其中650V-1200V车规级/非车规产品主要可应用于新能源汽车电驱系统、OBC（车载充电机）及DC-DC转换器，提供超低导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，显著提升整车能效比，助力800V高压平台车型实现更长续航与更短充电时间，其

　　品则面向光伏逆变器、储能变流器、柔性直流输电等领域，以高耐压、高可靠性和抗浪涌能力，保障兆瓦级系统稳定运行，降低全生命周期度电成本！

　　通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域。

　　在天岳先进与天科合达之前，碳化硅衬底长期以来由美国、欧洲、日本三方垄断，其中，美国全球独大，拥有全球最大的碳化硅企业美国科锐公司，占85%

　　月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的国家级高新技术企业。天科合达目前拥有北京总部基地、北京研发中心和三家全资子公司。经过多年的努力，天科合达成功实现了2

　　、6英寸碳化硅衬底的研发和量产，并在2021年成功实现了8英寸衬底的研发和量产。2024年，天科合达深圳生产基地还实现了6英寸和8英寸外延产品的成功量产。在8英寸碳化硅外延材料方面，天科合达也取得了重要突破。公司成功解决了掺杂浓度和厚度均匀性的控制问题，以及低缺陷密度的控制问题。目前，天科合达的8英寸外延产品已经实现了掺杂浓度、掺杂厚度均匀性的高质量目标，可用面积也达到了99%以上。根据TrendForce

　　年全球碳化硅衬底市场报告，天科合达市场份额达17.3%，仅次于市场份额为33.7%的Wolfspeed。

　　年末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权194项，实用新型专利授权308项，其中境外发明专利授权14项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。天岳先进成立于2010

　　月，是一家专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售的科技型企业。经过多年的积累与技术攻关，最终相继研发出拥有自主知识产权的碳化硅单晶生长炉，攻克了碳化硅晶体切割、研磨、抛光等系列加工技术难题，摸索出一条成熟稳定的碳化硅衬底材料生产、加工工艺路线。根据Yole研究报告，自2019年以来，天岳先进在半绝缘型碳化硅衬底全球市占率连续数年稳居世界前三。根据天岳先进2024

　　英寸碳化硅衬底的市场参与者之一。2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底；2024年11月，推出业内首款12英寸碳化硅衬底。

　　碳化硅外延可用于制造各类功率器件，如新能源汽车、光伏储能、航空航天等领域。

　　数据显示，衬底和外延作为碳化硅产业链的上游环节，分别占碳化硅功率器件成本结构的47%和23%。优质的碳化硅外延生长工艺不仅可以改进碳化硅衬底缺陷，还可以减少外延自身生长缺陷，大幅提升下游器件的良率和性能。不过，高质量碳化硅外延的技术及生产壁垒比较高，因此供应相对紧俏。

　　年，是我国首家技术领先的专业碳化硅外延片供应商。资料显示，其是我国首批实现

　　英寸及6英寸碳化硅外延片量产的公司之一，及首批拥有量产8英寸碳化硅外延片能力的公司之一。截至2024年10月31日，公司6英寸及8英寸外延片的年度产能约为420,000片，成为我国具备6英寸及8英寸外延片产能的最大公司之一。根据天域半导体招股书数据，在过去的2021

　　年、2023年和2024年上半年，天域半导体的营业收入分别为人民币1.55亿、4.37亿、11.71亿和3.61亿元，相应的净利润分别为人民币-1.80亿、281.4万、9588.2万和-1.41亿元。

　　CQ9电子官方网站 CQ9平台

　　据公开报道，瀚天天成牵头主导编写了全球首个及目前唯一的碳化硅外延国际SEMI

　　英寸碳化硅外延晶片大批量外供，也是国内首家实现商业化3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片批量供应的生产商。早在2023年，该公司便宣布所生产的8英寸碳化硅外延晶片的质量达到国际先进水平，即厚度不均匀性小于3%，浓度不均匀性小于6%，2mm*2mm管芯良率达到98%以上。根据灼识咨询的报告，自2023

　　2024年的市场份额超过30%。全球前5大碳化硅功率器件巨头中有4家以及全球前10大功率器件巨头中有7家是该公司的客户。近期，瀚天天成碳化硅产业园二期项目主体封顶。项目总投资6.3

　　平方米，其中一期项目已建成投产。 项目拟建设6英寸SiC外延晶片生产线项目，建成投产后预计年产值30亿元。