金融界2025年3月5日消息，国家知识产权局信息显示，南京第三代半导体技术创新中心有限公司取得一项名为“碳化硅功率器件终端结构及其制造方法”的专利，授权公告号CN 118738095 B，申请日期为2024年6月。

　　天眼查资料显示，南京第三代半导体技术创新中心有限公司，成立于2022年，位于南京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2001万人民币，实缴资本2001万人民币。通过天眼查大数据分析，南京第三代半导体技术创新中心有限公司参与招投标项目7次，专利信息56条，此外企业还拥有行政许可3个。

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