金融界2025年2月13日消息，国家知识产权局信息显示，上海功成半导体科技有限公司申请一项名为“一种新型功率器件的制备方法及功率器件”的专利，公开号 CN 119403159 A，申请日期为 2024年12月。

　　专利摘要显示，本申请公开了一种新型功率器件的制备方法及功率器件，涉及功率半导体器件技术领域，能够解决热插拔电路中功率器件因热不稳定烧坏的问题。方法用于制备功率器件，功率器件中包括多个不同阈值电压单元，功率器件开启时按照阈值电压由低到高的顺序进行开启，包括：在衬底的第一表面刻蚀形成多个沟槽每个沟槽中包括对应的栅极区域栅极多晶硅位于栅极区域中，栅极多晶硅的第一侧面和源极之间形成第一沟道，栅极多晶硅的第二侧面和源极之间形成第二沟道，源极形成于相邻两个栅极区域之间的栅极氧化层下的衬底中；根据第一沟道的长度和第二沟道的长度，形成多个栅极，多个栅极和源极形成多个不同阈值电压；在衬底的第二表面形成漏极。

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　　天眼查资料显示，上海功成半导体科技有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本1414.9831万人民币，实缴资本1414.9831万人民币。通过天眼查大数据分析，上海功成半导体科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目4次，知识产权方面有商标信息33条，专利信息132条，此外企业还拥有行政许可6个。