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广东先导院科技申请芯片级GaAs功率器件的表面温度检测方法专利实现高精度的器件表面温度检测_CQ9电子中国官方网站
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广东先导院科技申请芯片级GaAs功率器件的表面温度检测方法专利实现高精度的器件表面温度检测

作者:小编    发布时间:2025-01-16 04:05:36    浏览量:

  金融界2025年1月15日消息,国家知识产权局信息显示,广东先导院科技有限公司申请一项名为“一种芯片级GaAs功率器件的表面温度检测方法”的专利,公开号 CN 119290177 A,申请日期为2024年9月。

  专利摘要显示,本发明公开了一种芯片级GaAs功率器件的表面温度检测方法,属于半导体器件温度检测技术领域。方法包括步骤:获取工作状态下的器件表面温度图像,根据表面温度图像识别器件的若干虚拟热源点;在器件表面设置若干热电偶;在不同环境温度下获取器件表面的温度图像,根据温度图像计算虚拟热源点的第一测试温度,同时通过热电偶获取虚拟热源点的第二测试温度;根据环境表面温度差值与测试温度差值拟合每个虚拟热源点的温度补偿模型;实时获取环境温度和虚拟热源点的工作温度数据,根据环境温度和温度补偿模型修正所述工作温度数据。本申请通过环境温度和温度补偿模型对热电偶采集的工作温度数据进行实时补偿,实现高精度的器件表面温度检测。

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  天眼查资料显示,广东先导院科技有限公司,成立于2020年,位于广州市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币,实缴资本500万人民币。通过天眼查大数据分析,广东先导院科技有限公司专利信息7条,此外企业还拥有行政许可3个。

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