湖南三安半导体申请功率器件专利增加器件在反偏时半导体外延片承受的耐压

作者：小编发布时间：2025-01-05 07:42:19 浏览量：

　　金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“功率器件”的专利，公开号CN 119181726 A，申请日期为2024年11月。

　　专利摘要显示，本申请提供的功率器件，在有源区内，半导体外延片包括沿底部到顶部方向交替层叠设置的多个第一外延层以及多个第二外延层；第二外延层包括多个第一掺杂区和多个第二掺杂区；第一外延层和第一掺杂区为第一导电类型，第二掺杂区为第二导电类型；以此，在器件反偏，第一掺杂区和第二掺杂区形成耗尽区，以此可以增加器件在反偏时半导体外延片承受的耐压，且进一步设置相邻两个第二外延层中的多个第一掺杂区在衬底上的投影不完全重叠，能够增加电流路径长度，进一步地增加器件在反偏时半导体外延片承受的耐压。