（19）中华人民共和国国家知识产权局 （12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN104009081A （43）申请公布日2014.08.27 （21）申请号CN4.4 （22）申请日2013.06.06 （71）申请人三星电机株式会社 地址韩国京畿道 （72）发明人朴在勋;宋寅赫;徐东秀;金洸洙;严基宙 （74）专利代理机构北京润平知识产权代理有限公司 代理人王崇 （51）Int.CI 权利要求说明书说明书幅图 （54）发明名称 功率半导体器件及其制造方法 （57）摘要 本发明提供了一种功率半导体器件，该功 率半导体器件包括第一导电型漂移层；形成在漂 移层上的第二导电型主体层；形成在漂移层下方 的第二导电型集电极层；通过穿透主体层及一部 分漂移层而形成的第一栅；形成在主体层中并形 成为与第一栅间隔开的第一导电型发射极层；遮 盖主体层及发射极层的上部并在第一栅上形成为 扁平型栅的第二栅；以及形成在具有主体层、发 射极层及漂移层的第一和第二栅的接触表面之间 的偏析阻止层。本发明还提供了制造该功率半导 体器件的方法。本发明提供的功率半导体器件防 止了栅传导电压Vth的不稳定性，因此防止了集 电极电流的波纹现象，由此提高功率半导体器件 的稳定性。 法律状态 法律状态公告日法律状态信息法律状态 2014-08-27公开公开 2014-09-24实质审查的生效实质审查的生效 2017-05-24授权授权 权利要求说明书 功率半导体器件及其制造方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看 说明书 功率半导体器件及其制造方法的说明书内容是....请下载后查看

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