在半导体元胞的沟道区上层叠形成张应力材料层和压应力材料层，其中张应力材料层位于压应力材料层与半导体外延片之间，且张应力材料层的应力值大于压应力材料层的应力值。

　　对形成有张应力材料层和压应力材料层的半导体外延片进行高温快速退火处理。

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　　通过层叠形成张应力材料层和压应力材料层，且张应力材料层的应力值大于压应力材料层的应力值，在高温快速退火处理后，张应力材料层与压应力材料层之间产生的净剩张应力传递至沟道内，从而改善沟道迁移率，降低比导通电阻。

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