本发明涉及功率半导体器件，特别涉及集成功率半导体器件。背景技术 参照附图1A，一种已知的分立高电子迁移率晶体管(high electronmobility transistor----HEMT)可以包括漏极焊盘10、源极焊盘12和栅极焊盘14。漏极焊盘10与一个多重漏极引线进行电相连，同时源极焊盘12与一个多重源极引线进行电相连。通常来说，漏极焊盘10和源极焊盘12与引线相互平行布置。此外，在一种常规安排中，将漏极引线和源极引线交...注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。

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