2024功率器件新技术研讨会

作者：小编发布时间：2024-12-17 13:17:46 浏览量：

　　功率半导体作为电能转换、电路控制的核心部件，广泛应用于汽车、消费电子、计算机、网络通信、工控等场景。随着全球范围内新能源汽车、光伏、风电应用领域的下游需求激增，带动功率半导体行业进入景气期。

　　功率器件在行业中的热门应用和前沿技术，分享行业成功案例与最佳实践经验，全球相关行业企业研发专家汇聚碰撞思维火花，欢迎您报名参与本次研讨会，共话行业发展趋势。

2024功率器件新技术研讨会(图1)

　　瞻芯电子：SIC MOSFET多管并联均流驱动方案，成本低高可靠性抗米勒效应1200V

　　PANJIT：MPS结构设计SiC SBD，具备低VF值、高可靠性及出色开关性能

　　瑶芯微： SiC MOS，品类齐全，适用于光伏、储能、充电桩以及汽车OBC

　　虹美功率半导体：车规SiC二极管/GaN FET/IGBT，提供DC-DC/光伏逆变/快充等新能源、工业解决方案

　　东科半导体：GaN+SR，合封氮化镓，工作频率达150KHz，可广泛应用于消费市场

2024功率器件新技术研讨会(图2)

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　　世强硬创新技术研讨会联合全球1000家顶级原厂发布2024最前沿技术、最新产品以及解决方案，品类覆盖了IC，元件，材料，电气，电机，仪器等领域，助力硬件企业工程师快速了解市场新品动态，点燃创意火花，加速研发项目进度。

　　2023年世强硬创共举办超过20场新技术研讨会，累计超过上万名企业研发工程师参与，均来自行业顶尖的硬科技企业，如中国中车、涂鸦、比亚迪、宁德时代、TCL、海信、美的、格力电器、科沃斯、小米、大疆、百度、迈瑞医疗等企业。

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　　描述-拓尔微电子股份有限公司成立于2007年4月，是一家专注于高性能模拟及数模混合芯片研发、设计与销售的集成电路设计企业，致力于向个人消费电子、智能家居、网络通信、工业控制、汽车电子等下游领域提供高性能芯片及模组产品。历经十余年的研发积累与市场拓展，公司规模快速增长，先后在杭州、深圳、厦门、广州、无锡、成都和台湾等地建立分支机构及研发中心。

　　40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计，不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷，还拥有卓越的开关速度，VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。

　　国产车规功率MOS的先行者——JESTEK在汽车电子进口替代的风潮之下勇登高峰极速前行，目前已取得几十个功率MOS产品的AEC-Q101车规认证，并且还在不断增加型号中。欢迎咨询世强平台工作人员获取最新产品资讯！

　　传统逆变器单管MOS会使转换效率不高，单管MOS的限制会使逆变器输出的功率有限，从而影响到逆变器的转换效率，且在安全性能以及稳定性方面会有所缺陷，所产出的噪音也会更大，适应体积也较大。平伟实业在这一方面不断创新研发最新推出SOP-32封装的大功率MOS阵列产品。

　　聚焦ADC、放大器、电压基准源、高压LDO、Gan驱动等，1000+家国内外大牌全品类产品线，数万家行业top级客户资源；技术大牛带队，快速拓宽市场应用领域和技术深度、广度。国高＆专精特新企业，机会多，前景好。

　　DIOTEC德欧泰克的DI100N10PQ-AQ是一款100V耐压的N沟道功率MOSFET，可提供高达80A的最大电流需求。其非常低的导通状态电阻典型值为4.5mOhm，有助于降低功率损耗，从而降低结温。该器件广泛应用于水泵、油泵或类似的各种汽车驱动中。

　　在车灯研究院最新一期的拆解推文中，作者对比亚迪豪华车仰望 U8 进行车灯拆解，发现这款车型的交互灯PCBA使用了线D芯片。线D采用先进的Trench工艺，具有简化驱动电路，导通阻抗低，浪涌能力强等特点，在车灯应用里边主要用于高边开关和防反。因此在汽车车灯行业中有着广泛的应用案例。

　　某客户由于DDR电源设计中用到VTT电压，对电流要求比较大，且要求电源既能吸电流，也能灌电流，因此考虑采用专用的DDR电源芯片进行设计。本文推荐思瑞浦TPL51200-DF8R应用在工控机DDR电源电路。

　　作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯将携650V-2300V SiC MOS，品类齐全，适用于光伏、储能、充电桩以及汽车OBC隆重亮相本次研讨会。

　　描述-NCEA15P30K是一款采用先进沟槽技术的P-Channel增强型功率MOSFET，具有低栅极电荷和优异的RDS(ON)特性。该产品适用于汽车应用和便携式设备及电池供电系统。

　　长工微电子推出业界体积最小的6A直流降压电源模块ISM6636x，ISM6636A/B/C是集成了控制器，MOS管，电感电容的高功率密度同步降压转换器模块，输出电压范围0.6V~5V，6A连续输出电流，具有优秀的负载和线

　　NCEAP020N60GU NCE汽车级N沟道超级沟道II功率MOSFET

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　　该资料详细介绍了NCEAP020N60GU汽车级N通道超级沟槽II功率MOSFET的特性。该器件采用Super Trench II技术，优化了高频开关性能，具有低RDS(ON)和Qg组合，适用于高频开关和同步整流。资料提供了该器件的电气特性、热特性、封装信息以及应用领域。

2024功率器件新技术研讨会(图3)

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