金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“功率器件的形成方法”的专利，公开号 CN 119108278 A，申请日期为 2024 年 9 月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种功率器件的形成方法，通过对氮化镓外延层进行中子嬗变掺杂处理，以在氮化镓外延层中掺杂碳元素，在中子嬗变掺杂处理过程中，氮化镓外延层中的氮元素吸收中子后嬗变为碳元素，由于氮化镓外延层中的氮元素和镓元素分布较为均匀，且中子在氮化镓外延层中的穿透深度较大，能够深入渗透至氮化镓外延层的内部，由此，通过中子嬗变掺杂处理能够在氮化镓外延层中实现均匀的碳元素掺杂，从而提高氮化镓外延层中的碳元素的均匀性。另外，在中子嬗变掺杂处理过程中可以避免其他的杂质元素(例如氢元素和卤族元素)进入氮化镓外延层，减少或者避免其他杂质元素(例如氢元素和卤族元素)对氮化镓外延层的污染。

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