金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“功率半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN 119108272 A，申请日期为2024年8月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种功率半导体器件的制造方法，包含：在半导体衬底上刻蚀形成栅极沟槽，然后在所述半导体衬底表面整体形成一层氧化层；在所述的沟槽内淀积填充满多晶硅；进行全局的CMP研磨工艺，对所述半导体衬底表面的多晶硅进行研磨，研磨至所述的氧化层表面停止，去除表面的全部多晶硅；进行氧化层刻蚀工艺，去除多晶硅表面可能存在的氧化层；进行多晶硅刻蚀工艺，将所述的多晶硅继续进行过刻蚀，确保表面的多晶硅刻蚀干净。本发明在多晶硅淀积完成之后进行全局的CMP工艺，然后采用减少刻蚀量的干法刻蚀工艺对多晶硅的表面进行刻蚀，消除刻蚀残留，降低工艺时长且减少了栅介质层的刻蚀损失。

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