金融界2024年12月7日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司取得一项名为“沟槽型功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆”的专利，授权公告号 CN 118431290 B，申请日期为 2024 年 4 月。

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