深圳市欧仕捷电子有限公司取得屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件专利更好地保护插脚

作者：小编发布时间：2024-12-06 01:16:32 浏览量：

　　金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市欧仕捷电子有限公司取得一项名为“一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件”的专利，授权公告号 CN 222089830 U，申请日期为2024年3月。

　　专利摘要显示，本实用新型涉及电力电子元器件技术领域，且公开了一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，该屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件包括器件壳体，所述器件壳体底部固定安装有插脚，所述器件壳体左右方向上的外壁固定安装有滑轨，所述滑轨内部滑动安装有滑块，所述滑块外壁固定连接保护套内壁。该屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，为了更好地对其插脚进行保护，通过设置有固定组件，当将插脚插入对应电路板上后，向下拉动保护套，从而配合吸盘、圆形槽、矩形槽和气囊，使得器件壳体与电路板连接的更加稳定，同时后续挤压气囊能更好地拔起吸盘，而配合齿条、L型块、滑杆、按压块、贴紧弹簧和卡块，使得固定效果更好，继而能更好地保护插脚。