金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种高压碳化硅功率器件终端结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119069533 A ，申请日期为 2024 年 11 月。

　　专利摘要显示，本发明涉及MOS 半导体技术领域，且公开了一种高压碳化硅功率器件终端结构，包括由金属漏极、半导体外延层、源区金属源极、栅极金属以及结区金属源极构成，所述半导体外延层由衬底层、扩散层、有源区、主结以及多区结终端拓展结构组成，其中有源区包括有 P 阱层和 N 阱层，所述多区结终端拓展结构包括由 JTE 区域一和 JTE 区域二组成。本发明将 JTE 终端结构分段且引入 P+保护环结构，从而降低大面积的 JTE 终端充放电效应形成的电流及其在器件局部引入的衍生影响，并在两个 JTE 之间引入 P+保护环结构来调节第一个 JTE 末端的电场分布，提高终端结构的电压分布均匀性和在长期复杂工况下的稳定性。

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